TIP122 transistor darlington BJT – NPN (ref: 0033)

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Descripción

Transistor darlington BJT NPN TIP122

Especialmente diseñados para aplicaciones de propósito general, con baja frecuencia de conmutación y alta corriente.

  • Ganancia en continua elevada (hFE): 2500 (Darlington)
  • Corriente colector: 4Adc
  • Tensión saturación colector-emisor: 2V (Ic = 3A) – 4V (Ic = 5A)
  • Máxima tensión colector-emisor: 100V
  • Encapsulado: TO-220 (TO220)

Para más información, revisa la Hoja de datos TIP122